已解决，如何在SPI初始化以后拉低MOSI电平

swjtutl · 发表于 2015-9-21 10:35:23

本帖最后由 swjtutl 于 2015-9-21 20:19 编辑

电池应用，所以需要在休眠时降低功耗。
micro SD卡用了arduino 的SD库，利用SPI通讯，对328P而言11号口是MOSI，在使用SD.begin(SS)初始化后就发现即使进入停机休眠模式MOSI口始终处于高电平，在loop循环中即使采用了SPI.end()然后用 bitClear(PORTB,PB3)（digitalWrite()的avr命令）也不能把11号端口的电平拉低了。而MOSI是高电平的话由于SD本身的问题将导致0.5mA左右的电流泄漏，而且是在待机状态下。而我们的应用待机耗电指标是0.2mA以内，就被这里给超额浪费了。
不知道各位同学有没有好的办法。
实在不行就准备在这个地方装模拟开关，待机前断开μP和SD卡的MOSI的连接

swjtutl · 发表于 2015-9-21 20:18:16

搞定了，arduino库里面的SPI.end()没有关闭SPI，用了SPCR寄存器关闭SPI即可。
  SPCR&=~(1<<SPE);//关闭SPI
  DDRB |= (1<<PB3);//设置11号口为读（328P）
  bitClear(PORTB,PB3);//拉低11号口电平

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